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期待吗?三星Galaxy S10有望首发LPDDR5内存和UFS 3.0闪存

2024-08-12 来源:保捱科技网

安卓的新一轮硬件“军备竞赛”似乎要开始了,包括7nm CPU、LPDDR5、UFS 3.0等……

来自国外爆料人Samsung_News_的消息,他听闻三星Galaxy S10将搭载LPDDR5 RAM

去年夏季,三星宣布开发出首款LPDDR5-6400内存芯片,基于10nm级(10nm~20nm)工艺,单晶片容量8Gb。

除了速度的提升,LPDDR5内存芯片相较LPDDR4X,功耗还减少了30%,可以说十分优秀。

不过,这份爆料需要谨慎看待,因为去年10月的在港举办的高通4G/5G峰会上,三星人士透露,LPDDR5内存计划2020年商用,只是当时倒是说,UFS 3.0闪存会在今年上半年商用,首批解决方案涵盖供128GB、256GB和512GB三种容量,最大数据传输速率为2000MB/s。

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